1N3766
Số Phần:
1N3766
nhà chế tạo:
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO5
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12912 Pieces
Bảng dữliệu:
1.1N3766.pdf2.1N3766.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 1N3766, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1N3766 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 1N3766 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.2V @ 35A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):800V
Gói thiết bị nhà cung cấp:DO-5
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:DO-203AB, DO-5, Stud
Vài cái tên khác:1N3766GN
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 190°C
gắn Loại:Chassis, Stud Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:1N3766
Mô tả mở rộng:Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 800V 35A DO5
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:10µA @ 50V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):35A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận