1N5620US
Số Phần:
1N5620US
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14418 Pieces
Bảng dữliệu:
1N5620US.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 1N5620US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1N5620US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 1N5620US với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.3V @ 3A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):800V
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-5A
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):2µs
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SQ-MELF, A
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 200°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:7 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:1N5620US
Mô tả mở rộng:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:500nA @ 800V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):1A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận