2N6039G
2N6039G
Số Phần:
2N6039G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15004 Pieces
Bảng dữliệu:
2N6039G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N6039G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N6039G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2N6039G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-225AA
Loạt:-
Power - Max:40W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-225AA, TO-126-3
Vài cái tên khác:2N6039GOS
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:5 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2N6039G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:750 @ 2A, 3V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận