APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
Số Phần:
APT65GP60B2G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16613 Pieces
Bảng dữliệu:
APT65GP60B2G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APT65GP60B2G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APT65GP60B2G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APT65GP60B2G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Điều kiện kiểm tra:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:30ns/91ns
chuyển đổi năng lượng:605µJ (on), 896µJ (off)
Loạt:POWER MOS 7®
Power - Max:833W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3 Variant
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:APT65GP60B2G
Kiểu đầu vào:Standard
Loại IGBT:PT
cổng phí:210nC
Mô tả mở rộng:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Sự miêu tả:IGBT 600V 100A 833W TMAX
Hiện tại - Collector xung (Icm):250A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận