APTGT35H120T3G
Số Phần:
APTGT35H120T3G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12628 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APTGT35H120T3G.pdf2.APTGT35H120T3G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTGT35H120T3G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTGT35H120T3G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTGT35H120T3G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP3
Loạt:-
Power - Max:208W
Gói / Case:SP3
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:Yes
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APTGT35H120T3G
Input Điện dung (Cies) @ VCE:2.5nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:Trench Field Stop
Mô tả mở rộng:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
Sự miêu tả:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):250µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):55A
Cấu hình:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận