APTM100H45SCTG
APTM100H45SCTG
Số Phần:
APTM100H45SCTG
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13795 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APTM100H45SCTG.pdf2.APTM100H45SCTG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTM100H45SCTG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTM100H45SCTG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTM100H45SCTG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP4
Loạt:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, VGS:540 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:357W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SP4
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APTM100H45SCTG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:154nC @ 10V
Loại FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận