APTM60H23FT1G
Số Phần:
APTM60H23FT1G
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17297 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APTM60H23FT1G.pdf2.APTM60H23FT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APTM60H23FT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APTM60H23FT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APTM60H23FT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SP1
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:276 mOhm @ 17A, 10V
Power - Max:208W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SP1
Vài cái tên khác:APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G-ND
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APTM60H23FT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5316pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
Loại FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận