BSP149L6327HTSA1
BSP149L6327HTSA1
Số Phần:
BSP149L6327HTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12581 Pieces
Bảng dữliệu:
BSP149L6327HTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSP149L6327HTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSP149L6327HTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSP149L6327HTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 400µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT223-4
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:BSP149 L6327
BSP149 L6327-ND
BSP149L6327INTR
BSP149L6327INTR-ND
BSP149L6327XT
SP000089214
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BSP149L6327HTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:430pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Depletion Mode
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:660mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận