BSP300L6327HUSA1
BSP300L6327HUSA1
Số Phần:
BSP300L6327HUSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16155 Pieces
Bảng dữliệu:
BSP300L6327HUSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSP300L6327HUSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSP300L6327HUSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSP300L6327HUSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT223-4
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:20 Ohm @ 190mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BSP300L6327HUSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:190mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận