BSS225L6327HTSA1
BSS225L6327HTSA1
Số Phần:
BSS225L6327HTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14035 Pieces
Bảng dữliệu:
BSS225L6327HTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSS225L6327HTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSS225L6327HTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSS225L6327HTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 94µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT89
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:45 Ohm @ 90mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-243AA
Vài cái tên khác:BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BSS225L6327HTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:131pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:90mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận