CSD16556Q5B
Số Phần:
CSD16556Q5B
nhà chế tạo:
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Có chứa chì / RoHS tuân thủ
Số lượng có sẵn:
16604 Pieces
Bảng dữliệu:
CSD16556Q5B.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho CSD16556Q5B, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CSD16556Q5B qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CSD16556Q5B với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-VSON (5x6)
Loạt:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.07 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.2W (Ta), 191W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:296-35627-6
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:CSD16556Q5B
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6180pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận