DMN67D8LDW-13
DMN67D8LDW-13
Số Phần:
DMN67D8LDW-13
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19514 Pieces
Bảng dữliệu:
DMN67D8LDW-13.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMN67D8LDW-13, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMN67D8LDW-13 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMN67D8LDW-13 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-363
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 500mA, 10V
Power - Max:320mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMN67D8LDW-13
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.82nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:230mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận