Mua EPC2025 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | +6V, -4V |
Công nghệ: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | Die |
Loạt: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 150 mOhm @ 3A, 5V |
Điện cực phân tán (Max): | - |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | Die |
Vài cái tên khác: | 917-1125-2 |
Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | EPC2025 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 194pF @ 240V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 300V |
Sự miêu tả: | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |