ESH3BHE3/9AT
ESH3BHE3/9AT
Số Phần:
ESH3BHE3/9AT
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14021 Pieces
Bảng dữliệu:
ESH3BHE3/9AT.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho ESH3BHE3/9AT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ESH3BHE3/9AT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua ESH3BHE3/9AT với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:900mV @ 3A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):100V
Gói thiết bị nhà cung cấp:DO-214AB, (SMC)
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):40ns
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DO-214AB, SMC
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 175°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:ESH3BHE3/9AT
Mô tả mở rộng:Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:5µA @ 100V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):3A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận