FJNS3208RTA
Số Phần:
FJNS3208RTA
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13338 Pieces
Bảng dữliệu:
FJNS3208RTA.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FJNS3208RTA, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FJNS3208RTA qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FJNS3208RTA với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92S
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FJNS3208RTA
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:56 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận