FQB12N60CTM
FQB12N60CTM
Số Phần:
FQB12N60CTM
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18402 Pieces
Bảng dữliệu:
FQB12N60CTM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQB12N60CTM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQB12N60CTM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQB12N60CTM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D²PAK (TO-263AB)
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:650 mOhm @ 6A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.13W (Ta), 225W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FQB12N60CTM
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận