IMD2AT108
IMD2AT108
Số Phần:
IMD2AT108
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19458 Pieces
Bảng dữliệu:
IMD2AT108.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMD2AT108, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMD2AT108 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMD2AT108 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:300mW
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:IMD2AT108DKR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IMD2AT108
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:56 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận