IMN11T110
IMN11T110
Số Phần:
IMN11T110
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13976 Pieces
Bảng dữliệu:
IMN11T110.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMN11T110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMN11T110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMN11T110 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.2V @ 100mA
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):80V
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-SMD
Tốc độ:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):4ns
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Nhiệt độ hoạt động - Junction:150°C (Max)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IMN11T110
Mô tả mở rộng:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Loại diode:Standard
Cấu hình diode:2 Pair Common Cathode
Sự miêu tả:DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:100nA @ 70V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận