IPA80R1K4P7XKSA1
IPA80R1K4P7XKSA1
Số Phần:
IPA80R1K4P7XKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16508 Pieces
Bảng dữliệu:
IPA80R1K4P7XKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPA80R1K4P7XKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPA80R1K4P7XKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPA80R1K4P7XKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 700µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-3F
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):24W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:SP001422546
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPA80R1K4P7XKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 500V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 4A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận