IPB45N04S4L08ATMA1
IPB45N04S4L08ATMA1
Số Phần:
IPB45N04S4L08ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14285 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB45N04S4L08ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB45N04S4L08ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB45N04S4L08ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB45N04S4L08ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 17µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3-2
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:7.6 mOhm @ 45A, 10V
Điện cực phân tán (Max):45W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPB45N04S4L08ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 45A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận