IPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6
Số Phần:
IPD60R3K3C6
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19060 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD60R3K3C6.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD60R3K3C6, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD60R3K3C6 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD60R3K3C6 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 40µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):18.1W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
SP000799130
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD60R3K3C6
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:93pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận