IPD75N04S406ATMA1
IPD75N04S406ATMA1
Số Phần:
IPD75N04S406ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19888 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD75N04S406ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD75N04S406ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD75N04S406ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD75N04S406ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 26µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3-313
Loạt:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.9 mOhm @ 75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):58W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD75N04S4-06
IPD75N04S4-06-ND
SP000711472
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD75N04S406ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 75A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận