IPI80N04S2H4AKSA2
IPI80N04S2H4AKSA2
Số Phần:
IPI80N04S2H4AKSA2
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16932 Pieces
Bảng dữliệu:
IPI80N04S2H4AKSA2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPI80N04S2H4AKSA2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPI80N04S2H4AKSA2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPI80N04S2H4AKSA2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO262-3-1
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.7 mOhm @ 80A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:SP001061290
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPI80N04S2H4AKSA2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:148nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận