IPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1
Số Phần:
IPL60R360P6SATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13204 Pieces
Bảng dữliệu:
IPL60R360P6SATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPL60R360P6SATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPL60R360P6SATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPL60R360P6SATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 370µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-ThinPak (5x6)
Loạt:CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 4.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):89.3W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:IPL60R360P6SATMA1TR
SP001163030
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPL60R360P6SATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 11.3A (Tc) 89.3W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11.3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận