IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF
Số Phần:
IRF6710S2TR1PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14146 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF6710S2TR1PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF6710S2TR1PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6710S2TR1PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF6710S2TR1PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET S1
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.9 mOhm @ 12A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta), 15W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric S1
Vài cái tên khác:IRF6710S2TR1PBFTR
SP001530274
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRF6710S2TR1PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 13V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận