IRFB3206GPBF
IRFB3206GPBF
Số Phần:
IRFB3206GPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15331 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFB3206GPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFB3206GPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFB3206GPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFB3206GPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 150µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:SP001565784
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFB3206GPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6540pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận