IRFL9110PBF
Số Phần:
IRFL9110PBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15341 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFL9110PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFL9110PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFL9110PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFL9110PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 660mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta), 3.1W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFL9110PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:8.7nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận