IRLML6302GTRPBF
IRLML6302GTRPBF
Số Phần:
IRLML6302GTRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17075 Pieces
Bảng dữliệu:
IRLML6302GTRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRLML6302GTRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRLML6302GTRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRLML6302GTRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Micro3™/SOT-23
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):540mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:IRLML6302GTRPBF-ND
IRLML6302GTRPBFTR
SP001550492
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRLML6302GTRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:97pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:3.6nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.7V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:780mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận