IXFQ22N60P3
IXFQ22N60P3
Số Phần:
IXFQ22N60P3
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14338 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFQ22N60P3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFQ22N60P3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFQ22N60P3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFQ22N60P3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1.5mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-3P
Loạt:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 11A, 10V
Điện cực phân tán (Max):500W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXFQ22N60P3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận