IXGN82N120C3H1
IXGN82N120C3H1
Số Phần:
IXGN82N120C3H1
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19029 Pieces
Bảng dữliệu:
IXGN82N120C3H1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXGN82N120C3H1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXGN82N120C3H1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXGN82N120C3H1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 82A
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-227B
Loạt:GenX3™
Power - Max:595W
Gói / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXGN82N120C3H1
Input Điện dung (Cies) @ VCE:7.9nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:PT
Mô tả mở rộng:IGBT Module PT Single 1200V 130A 595W Chassis Mount SOT-227B
Sự miêu tả:IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):130A
Cấu hình:Single
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận