JANTXV2N3637
JANTXV2N3637
Số Phần:
JANTXV2N3637
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
TRANS PNP 175V 1A TO-39
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
15291 Pieces
Bảng dữliệu:
JANTXV2N3637.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JANTXV2N3637, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JANTXV2N3637 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JANTXV2N3637 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):175V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-39
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/357
Power - Max:1W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vài cái tên khác:1086-15602-MIL
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 200°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:23 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JANTXV2N3637
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
Sự miêu tả:TRANS PNP 175V 1A TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 50mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận