MTD6N20ET5G
MTD6N20ET5G
Số Phần:
MTD6N20ET5G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12329 Pieces
Bảng dữliệu:
MTD6N20ET5G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MTD6N20ET5G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MTD6N20ET5G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MTD6N20ET5G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:700 mOhm @ 3A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.75W (Ta), 50W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:MTD6N20ET5G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận