MURTA200120
MURTA200120
Số Phần:
MURTA200120
nhà chế tạo:
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16061 Pieces
Bảng dữliệu:
MURTA200120.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MURTA200120, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MURTA200120 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MURTA200120 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:2.6V @ 100A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):1200V (1.2kV)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Three Tower
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:Three Tower
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MURTA200120
Mô tả mở rộng:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower
Loại diode:Standard
Cấu hình diode:1 Pair Common Cathode
Sự miêu tả:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:25µA @ 1200V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode):100A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận