NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H
Số Phần:
NDBA100N10BT4H
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13445 Pieces
Bảng dữliệu:
NDBA100N10BT4H.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NDBA100N10BT4H, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NDBA100N10BT4H qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NDBA100N10BT4H với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D²PAK (TO-263)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:6.9 mOhm @ 50A, 15V
Điện cực phân tán (Max):110W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NDBA100N10BT4H
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận