NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG
Số Phần:
NGTB50N65FL2WG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
IGBT 600V 50A TO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13433 Pieces
Bảng dữliệu:
NGTB50N65FL2WG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NGTB50N65FL2WG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NGTB50N65FL2WG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NGTB50N65FL2WG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 50A
Điều kiện kiểm tra:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:100ns/237ns
chuyển đổi năng lượng:1.5mJ (on), 460µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247-3
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):94ns
Power - Max:417W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:27 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NGTB50N65FL2WG
Kiểu đầu vào:Standard
Loại IGBT:Trench Field Stop
cổng phí:220nC
Mô tả mở rộng:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 417W Through Hole TO-247-3
Sự miêu tả:IGBT 600V 50A TO247
Hiện tại - Collector xung (Icm):200A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận