NJD35N04G
NJD35N04G
Số Phần:
NJD35N04G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17531 Pieces
Bảng dữliệu:
NJD35N04G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NJD35N04G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NJD35N04G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NJD35N04G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 20mA, 2A
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Power - Max:45W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:NJD35N04G-ND
NJD35N04GOS
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NJD35N04G
Tần số - Transition:90MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK-3
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:2000 @ 2A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận