NJVMJD44H11G
NJVMJD44H11G
Số Phần:
NJVMJD44H11G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13577 Pieces
Bảng dữliệu:
NJVMJD44H11G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NJVMJD44H11G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NJVMJD44H11G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NJVMJD44H11G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Power - Max:1.75W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NJVMJD44H11G
Tần số - Transition:85MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 4A, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận