NSM11156DW6T1G - ON Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased NSM11156DW6T1G

NSM11156DW6T1G

Số Phần:: NSM11156DW6T1G

nhà chế tạo:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15244 Pieces

Bảng dữliệu:: NSM11156DW6T1G.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NSM11156DW6T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NSM11156DW6T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua NSM11156DW6T1G với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V, 65V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:	1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SC-88/SC70-6/SOT-363
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	230mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	NSM11156DW6T1G
Tần số - Transition:	-
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Sự miêu tả:	TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho NSM11156DW6T1G

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	DDA123JK-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	Tin nhắn của bạn
	PBLS1504V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức