NTD4809NAT4G
NTD4809NAT4G
Số Phần:
NTD4809NAT4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14820 Pieces
Bảng dữliệu:
NTD4809NAT4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTD4809NAT4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTD4809NAT4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTD4809NAT4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.3W (Ta), 52W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NTD4809NAT4G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1456pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.6A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận