NTD5862N-1G
NTD5862N-1G
Số Phần:
NTD5862N-1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16657 Pieces
Bảng dữliệu:
NTD5862N-1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTD5862N-1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTD5862N-1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTD5862N-1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.7 mOhm @ 45A, 10V
Điện cực phân tán (Max):115W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:NTD5862N-1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:98A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận