NTR1P02T1G
NTR1P02T1G
Số Phần:
NTR1P02T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17357 Pieces
Bảng dữliệu:
NTR1P02T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NTR1P02T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NTR1P02T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NTR1P02T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):400mW (Ta)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:NTR1P02T1GOSDKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NTR1P02T1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 5V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận