NVMFS5832NLWFT1G
NVMFS5832NLWFT1G
Số Phần:
NVMFS5832NLWFT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14076 Pieces
Bảng dữliệu:
NVMFS5832NLWFT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NVMFS5832NLWFT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NVMFS5832NLWFT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NVMFS5832NLWFT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.7W (Ta), 127W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:29 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NVMFS5832NLWFT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 21A (Ta) 3.7W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận