PDTC124ES,126
PDTC124ES,126
Số Phần:
PDTC124ES,126
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15609 Pieces
Bảng dữliệu:
PDTC124ES,126.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PDTC124ES,126, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PDTC124ES,126 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PDTC124ES,126 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:500mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác:934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PDTC124ES,126
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận