PHB110NQ06LT,118
PHB110NQ06LT,118
Số Phần:
PHB110NQ06LT,118
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15709 Pieces
Bảng dữliệu:
PHB110NQ06LT,118.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PHB110NQ06LT,118, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PHB110NQ06LT,118 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PHB110NQ06LT,118 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):200W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:568-2183-2
934058553118
PHB110NQ06LT /T3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:PHB110NQ06LT,118
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3960pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận