PHK31NQ03LT,518
Số Phần:
PHK31NQ03LT,518
nhà chế tạo:
Nexperia
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13344 Pieces
Bảng dữliệu:
PHK31NQ03LT,518.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PHK31NQ03LT,518, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PHK31NQ03LT,518 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua PHK31NQ03LT,518 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.15V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.4 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):6.9W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:934058879518
PHK31NQ03LT /T3
PHK31NQ03LT /T3-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):2 (1 Year)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:PHK31NQ03LT,518
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4235pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 30.4A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30.4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận