PTFA081501E V1 - Infineon Technologies - Transistors - FETs, MOSFETs - RF PTFA081501E V1

PTFA081501E V1

Số Phần:: PTFA081501E V1

nhà chế tạo:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Sự miêu tả:: FET RF 65V 900MHZ H-30248-2

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13117 Pieces

Bảng dữliệu:: PTFA081501E V1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho PTFA081501E V1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PTFA081501E V1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua PTFA081501E V1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	28V
Voltage - Xếp hạng:	65V
Loại bóng bán dẫn:	LDMOS
Gói thiết bị nhà cung cấp:	H-30248-2
Loạt:	GOLDMOS®
Power - Output:	150W
Bao bì:	Tray
Gói / Case:	2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Vài cái tên khác:	SP000082730
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	3 (168 Hours)
Số phần của nhà sản xuất:	PTFA081501E V1
Lợi:	18dB
Tần số:	900MHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 900MHz 18dB 150W H-30248-2
Sự miêu tả:	FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
Đánh giá hiện tại:	10µA
Hiện tại - Kiểm tra:	950mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho PTFA081501E V1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
PTFA081501E1V4XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	Tin nhắn của bạn
PTFA081501E1V4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	Tin nhắn của bạn
PTFA081501E1V4T500XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	Tin nhắn của bạn
PTFA081501F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2	Tin nhắn của bạn
PTFA082201EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 894MHZ H-36260-2	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức