R6030ENZ1C9
R6030ENZ1C9
Số Phần:
R6030ENZ1C9
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12868 Pieces
Bảng dữliệu:
R6030ENZ1C9.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho R6030ENZ1C9, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho R6030ENZ1C9 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua R6030ENZ1C9 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 14.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):120W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:R6030ENZ1C9
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận