SI4621DY-T1-E3
Số Phần:
SI4621DY-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16147 Pieces
Bảng dữliệu:
SI4621DY-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI4621DY-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4621DY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4621DY-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, VGS:54 mOhm @ 5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta), 3.1W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI4621DY-T1-E3TR
SI4621DYT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI4621DY-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 6.2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận