SI4816DY-T1-E3
Số Phần:
SI4816DY-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14734 Pieces
Bảng dữliệu:
SI4816DY-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI4816DY-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4816DY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4816DY-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 6.3A, 10V
Power - Max:1W, 1.25W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI4816DY-T1-E3-ND
SI4816DY-T1-E3TR
SI4816DYT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI4816DY-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Loại FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.3A, 7.7A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận