SI5855DC-T1-E3
SI5855DC-T1-E3
Số Phần:
SI5855DC-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15520 Pieces
Bảng dữliệu:
SI5855DC-T1-E3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho SI5855DC-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI5855DC-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI5855DC-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:1206-8 ChipFET™
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SMD, Flat Lead
Vài cái tên khác:SI5855DC-T1-E3TR
SI5855DCT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:SI5855DC-T1-E3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận